报告题目：局域密度近似带隙错误修正方法及在缺陷研究中的应用
报告人：王建伟中物院微系统与太赫兹研究中心
报告时间：2016年12月16日（周五）下午4:00
报告地点：LE523
报告摘要：在材料研究中，基于密度泛函理论的计算模拟技术已经成为实验手段之外又一重要工具，特别是在微介观物理过程和机理研究方面，密度泛函理论显示出强大的优越性。然而，密度泛函理论本身也有自身的局限性，其中一个重要的问题是带隙问题，即局域密度近似（或者广义梯度近似）下半导体的带隙总是被低估。带隙被低估的问题在缺陷电子性质的研究中变得特别严重，与我们能否正确确定缺陷能级关系密切。我们遵循k﹒p理论的思路，发展了一种系统的方法来修正常见半导体的平面波赝势。修正后的赝势不仅能够给出正确的电子结构,而且能够给出有效质量参数正确的数值，这对于基于密度泛函方法研究半导体体系的输运特性至关重要。修正后的赝势具有良好的可移植特性，可用于多种半导体电子特性的计算。该修正后的赝势与超元胞方法一起，是研究缺陷电子特性的重要手段，能够有效减小缺陷计算中超元胞方法引起的误差，得到收敛的缺陷能级。
报告人简历：2004年毕业于兰州大学物理系，2009年毕业于中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室，师从李树深院士，研究方向是新型自旋器件设计；2011年赴北卡罗来纳大学夏洛特分校张勇教授研究组开展博士后研究，工作内容是运用第一性原理计算方法研究半导体中的缺陷电子性质；2015年8月，加入到中物院微系统与太赫兹研究中心任副研究员，从事半导体材料计算和器件模拟的相关工作。在APL, PRB, JAP, NJP,Sci. Rep.等期刊上发表了多篇重要论文，同时还担任国际期刊APL, JPCM, Nanotechnology, JPD: Applied Physics，Materials Research Express, 2D Materials等期刊的审稿人。入职以来，主持“科学挑战专题”课题和国家自然科学基金青年基金1项，参与中物院院长基金1项。
