题 目：二维半导体材料的可控制备及其应用
报 告 人：秦彪 博士 北京大学
时 间：2024年11月30日（星期五）上午 9：30
地 点：虎溪校区理科楼 LE523
邀 请 人：黄映洲
报告摘要：随着全球硅基集成电路产业进入“后摩尔时代”，芯片性能提升变得愈发困难。二维半导体过渡金属硫族化合物（TMDs）材料因其优异的电子和光学性质，成为下一代先进制程电子学和光子学的关键材料。全球领先的半导体公司，包括英特尔、台积电和三星等，均在积极布局TMDs材料。与其他构型TMDs相比，菱方相3R-TMDs具备更高的载流子迁移率及电流密度、高能效体光伏效应、相干增强非线性光学响应等性能。这里，我们提出了一种全新的“晶格传质-界面外延”生长晶圆级3R-TMDs单晶新范式，为大规模电子集成电路和光子集成电路芯片等多个前沿技术领域的发展带来了新机遇。
报告人介绍：秦彪，北京大学物理学院博士，师从刘开辉教授。主要从事芯片用二维单晶材料的表界面调控制备及其光学、电学性能研究。近年来，发表学术论文15篇，其中一作（含共一）文章7篇，包括Science、Nature Communications(3篇)、Advanced Science、Chemical Reviews等。申请国家发明专利2项、PCT国际专利 1项。相关成果被《人民日报》、《新华社》、《光明日报》等多家央媒聚焦报道。
