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西南理论物理中心系列报告:量子反常霍尔绝缘体中的量子相变

作者:点击次数:更新时间:2024年03月12日

题目:量子反常霍尔绝缘体中的量子相变

报告人:邓鹏 研究员

邀请人:丁浩

时间:2024年3月14日(星期四)上午10:00

地点:虎溪校区第一实验楼S1220(量子中心会议室)

报告摘要:在量子反常霍尔绝缘体中,磁性的变化会导致系统发生量子相变,从量子反常霍尔态转变为轴子绝缘体或普通绝缘体态。通常对于一个量子相变,系统在相变临界点会表现出与有序相完全不同的临界现象,其行为通常具有普适性,也即临界行为与材料细节无关,只取决于系统的对称性、维度等基本参数。本报告将介绍量子反常霍尔绝缘体的相变研究。我们通过分子束外延生长量子反常霍尔绝缘体,并进行电输运测量,通过发展新的量子反常霍尔绝缘体相变行为分析方法,我们发现系统在相变临界点处具有量子化的纵向电阻,并揭示了其相变普适性。

报告人简介:邓鹏,北京量子信息科学研究院副研究员。2017年于清华大学获得博士学位,后在加州大学洛杉矶分校从事博士后研究,2021年加入北京量子信息科学研究院。研究方向为拓扑量子材料的分子束外延生长、输运和扫描隧道显微镜研究,在Nature Physics, Nature Communications等期刊发表论文30余篇,总引用3600余次。近年来,主要的研究兴趣集中于量子反常霍尔绝缘体和拓扑超导材料的制备与物性研究。