Rashba and Dresselhaus Effects in Two-Dimensional Semiconductors

报告题目：Rashba and Dresselhaus Effects in Two-Dimensional Semiconductors

报告人：胡伟  特任研究员 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心

报告时间：2022.11.25（星期五） 13：30-14：30

报告地点：腾讯会议ID: 665-461-811

报告摘要：

自旋轨道耦合在自旋电子学中起着重要的作用。自旋轨道耦合主要包括Rashba效应和Dresselhaus效应。半导体自旋电子学，由于能够实现自旋器件的集成而受到人们的广泛关注。其中，二维半导体比三维半导体更有前途，因为二维半导体的厚度可以忽略不计，而且在倒易空间中缺乏z分量，可以避免三维体相材料的缺点。胡伟研究员课题组用哈密顿模型回顾了二维半导体中的Rashba和Dresselhaus效应的起源，并进一步研究了常见的二维Rashba半导体，包括双原子屈曲蜂窝状单层、Janus过渡金属二硫化物（TMDs）单层、二维极性钙钛矿。Rashba效应的强度可由外加电场、应力、电荷掺杂、层间相互作用、外加磁场和衬底的邻近效应进行调控。

报告人简介：

胡伟，中国科学技术大学任特任研究员，博士生导师。2013年博士毕业于中国科学技术大学，随后加入美国劳伦斯伯克利国家实验室进行应用数学博士后研究。胡伟研究员的研究领域为理论与计算化学，他致力于发展针对大尺度分子固体材料的第一性原理密度泛函理论低标度计算的新算法，同时开发高性能并行计算软件PWDFT、HONPAS和DGDFT，并将其应用到材料模拟设计。