题目：新型半导体材料光电表征及器件设计
报告人：林乾乾 教授
时间：2021年06月11号（星期五）上午10:00
地点：物理学院LE201
邀请人：邓业浩
报告人简介：
林乾乾，男，武汉大学物理科学与技术学院教授。2013年，在昆士兰大学有机光电子中心攻读博士学位，师从澳大利亚科学院院士Paul Burn教授和光电子学专家Paul Meredith教授。2016年，在英国牛津大学物理系从事博士后研究，合作导师为光谱学专家Laura Herz教授。主要从事新型半导体材料的物理表征和光电器件的研究，包括新一代薄膜太阳能电池，光电探测器，发光二极管和场效应管等。目前发表学术论文50余篇，包括Nature Photonics, Nature Energy，Nature Communications, Advanced Materials, Accounts of Chemical Research，Applied Physics Reviews, Advanced Functional Materials和Advanced Energy Materials等权威期刊，文章总引用达4000余次。
报告摘要：
近几年，有机半导体、量子点和钙钛矿等新型半导体材料被广泛的研究。由于其柔性、廉价和性能容易被调控等优点，基于这些新材料的光电器件也取得了日新月异的进展，比如薄膜太阳能电池、发光二极管、场效应管、光电探测器和记忆储存器件等。相比于硅、锗和砷化镓等传统的无机半导体，新型半导体一般更无序和复杂多变，对其光电性能还缺乏系统性认识，对于这些新材料在半导体器件上的工作原理也存在一些争议，对于结构性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要。本人近几年的研究主要集中在有机半导体和钙钛矿材料的光电表征上，尤其是半导体内载流子的产生、输运、复合、注入和抽取，还有界面层的调控等核心过程。通过对这些表征结果的分析和理解，进一步应用于相应的器件设计、模拟和优化上。本次报告，首先介绍和比较几种常用的光电表征方法，包括瞬态和稳态的电学表征，还有常用的几种光谱学表征技术。之后简单介绍些本人对于光电器件设计方面的理解，这些会以薄膜太阳能电池和光电探测器来举例说明。
