题目：低发散角高功率光子晶体激光芯片技术研究
报告人：佟存柱
时间：5月17日 16:30
地点：LE523
邀请人：韩德专
报告人介绍：
佟存柱，中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员，国家杰出青年科学基金获得者，发光学及应用国家重点实验室常务副主任。曾先后在新加坡南洋理工大学和加拿大多伦多大学从事研究工作。目前主要从事半导体激光研究，包括高亮度半导体激光芯片、面发射激光器和碟片激光器。获吉林省技术发明奖一等奖（第一完成人）、中国光学学会王大珩光学奖、中科院“百人计划”终期优秀奖，科研成果入选“2015中国光学重要成果”。主持国家重点研发计划项目、自然基金重大项目课题、德国通快集团和华为公司委托项目等21项。发表学术论文100余篇，授权中国发明专利28项，美国专利2项。
报告摘要：
半导体激光器自1962年发明以来，“发散角大、椭圆出光”就是其公认的缺点。本报告回顾了低发散角半导体激光技术进展，并详细介绍了本团队在基于光子晶体导波原理的半导体激光发散角控制方面的研究工作。团队提出双边横向布拉格反射波导一维光子晶体结构，将快轴发散角从45度降低到4.9度，实现圆形光束低发散角激光输出；通过带边模式的二维光子晶体面发射激光 (PCSEL) 结构，实现发散角<0.3度、纳秒脉冲功率12W激光输出；通过平坦带方法，实现1310nm InAs/GaAs量子点PCSEL室温以上连续工作，最高单模功率13.3mW。
