报告题目：类硅烯材料中的自旋-能谷电子输运研究
报告人及单位：杨加恩，重庆大学物理学院
报告时间：2021年3月20日（周六）10:30-11:30
报告地点：物理学院LE523
报告内容简介：电荷在传输中的耗散是当前电子设备需要解决的问题之一。类似于电荷，电子的自旋与能谷自由度也可以被用来存储信息；并且，它们在拓扑绝缘体材料中可以实现无耗散的量子输运。基于紧束缚模型，利用非平衡格林函数理论，我们研究了类硅烯纳米带中含自旋-能谷电子的输运性质，提出了一些单输出和双输出的自旋-谷过滤器模型。我们发现器件尺寸对自旋-谷过滤器的性能有重要影响。并且通过考虑真实效应（含无序能级扰动），我们也发现这些过滤器都具有很好的鲁棒性。我们相信这些新设计的自旋-能谷过滤模型在未来的纳米电子学器件中有着广泛的应用价值。
报告人简介：杨加恩，重庆大学物理学院三年级博士生，导师：谢航研究员。其研究领域主要为类硅烯材料中的量子输运，另外在分子聚集方面也有研究。近年来在New Journal of Physics、Journal of Physics-Condensed Matter等期刊发表SCI论文5篇。
