报告题目：基于层状拓扑材料氧化机制的第一性原理研究
报告人及单位：杨佳丽，重庆大学物理学院
报告时间：2020年11月13日（周五）15:00-16:00
报告地点：物理学院LE523
报告内容简介：利用密度泛函理论计算，系统研究低维材料的氧化机理以及氧化对层状拓扑材料电子性质的影响，其中量子自旋霍尔绝缘体1T‘-WTe2的氧化机理以及氧化诱导的拓扑相变，为理解氧化诱导的层状过渡金属二硫化合物的拓扑相变提供了参考。通过分析拓扑绝缘体Bi2Se3纳米薄膜结构的表面氧化机理与稳定机制，发现Bi2Se3的拓扑特性对于氧化过程有一定的鲁棒性，可以在被氧化的过程中保持其拓扑表面态的存在。
报告人简介：杨佳丽，重庆大学物理学院2017级博士研究生，导师，王锐副教授。其研究工作集中于基于层状拓扑材料氧化机制的第一性原理研究，其成果被 The Journal of Physical Chemistry Letters等杂志发表。
