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Title: Impact of catalysts in the growth of epitaxial III-V semiconductor nanowires

作者:点击次数:更新时间:2015年11月17日

Title: Impact of catalysts in the growth of epitaxial III-V semiconductor nanowires

时间:2015-11-17 来源: 作者:

Title: Impact of catalysts in the growth of epitaxial III-V semiconductor nanowires

Abstract: III-V semiconductor nanowires and their heterostructures have been paid extraordinary attention in recent years due to their unique structural and chemical characteristics and in turn potential properties in optoelectronic, nanoelectronic, and sensing developments. In general, semiconductor nanowires are induced by catalysts, which mediates the one-dimensional growth. However, since the complications of catalysts in inducing the nanowire growth, many nanowires induced by the catalysts have their own structural characteristics. In this presentation, I shall summarize our discoveries of impact of catalysts in the growth of epitaxial III-V semiconductor nanowires for the past decade.

主讲人介绍:邹进,于1982年和1985年在北京科技大学分别获得学士和硕士学位,师从中国电镜界泰斗郭可信院士。1985年后参与了北京电镜中心的建设并在该中心从事科研工作。1989年赴澳大利亚悉尼大学攻读博士学位,师从国际电镜顶级科学家D. J. H. Cockayne教授。1993年获得材料物理博士学位后,继续在悉尼大学从事电镜相关的科研工作,期间获得了一系列著名奖学金和基金包括澳大利亚国家伊丽莎白女王基金的资助。2003年后,邹进教授加入昆士兰大学,并于2009年升任该校纳米科学讲席教授,同年获得澳大利亚政府未来学者奖励。在昆士兰大学工作期间,邹进教授开展利用高级电子显微镜研究半导体纳米结构的研究。迄今为止,在高影响因子杂志上发表540余篇期刊论文,他引超过11500次,个人H因子53。

主讲人: 邹进澳大利亚昆士兰大学教授

时间 :11月19日上午10点-11点

地点:LE 523