报告人及单位：常凯研究员（中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室）
报告时间：2018年4月17号上午10:30-11:30
报告地点：物理学院LE523
邀请人：胡自翔
报告内容简介：随着半导体先进制造技术的发展，人们现在已经可以制备高质量的半导体界面。由于界面导致对称性破缺及化学环境改变，界面处晶格、电荷、自旋和电子轨道的相互作用显著强于材料内部，从而展现出丰富的层展效应，呈现出丰富的量子相。利用应力或电荷转移产生的极性，我们可以通过人工设计，在主流半导体，如InN/GaN[1]、GaAs/Ge等二维极性界面体系中实现拓扑绝缘体相。考虑电子-电子相互作用，可以在极性界面体系中实现六十年前莫特预言的激子绝缘相，我们最近在二维半导体体系InAs/GaSb中发现的拓扑激子绝缘相。我们通过建立类BCS多体理论，证实当考虑电子—空穴相互作用时，在InAs/GaSb量子阱中，系统的基态将进入拓扑激子绝缘相，且该拓扑激子绝缘相可以在高达35T的平行磁场下稳定存在。
报告人简介：常凯，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员，国家杰出青年科学基金获得者。研究领域为半导体物理，在包括Nature子刊 (3篇)、Phys. Rev. Lett. (11篇)、ACS Nano (2篇)，2D Materials (4篇)在内的国际学术期刊上发表论文144篇。多项工作得到国际同行的正面评价、重点引用和跟踪研究，并被写入综述文章和专著中。2004年度获得国家自然科学二等奖（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬），2013年度中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。2005年度获得国家杰出青年基金资助，2013年入选国家百千万人才工程；并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”。多次在国际学术会议，如美国物理学会三月会议和第31届国际半导体物理大会，做邀请报告。曾任第17届窄能隙半导体物理会议主席；第18届国际程序委员会委员；二维电子气物理会议程序委员会委员；第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席。
