报告题目：磷烯中空位诱导的带电缺陷及氧化反应
报告人及单位：詹方洋，重庆大学物理学院
报告时间：2020年1月4日（周六）10:00-11:00
报告地点：物理学院LE523
报告内容简介：
单层黑磷(BP)，也叫磷烯(Phosphorene)，一种新兴二维（2D）材料家族，由于其独特的半导体性质，在光催化、纳米电子、可充电电池以及生物医学等领域，具有广泛的应用前景。然而磷烯在自然环境下极易被氧化分解，并吸水发生潮解，表面形成磷酸，这严重阻碍了对磷烯本征物理、化学性质的深入研究和应用开发。另一方面，点缺陷对二维材料的性能、效率和可靠性有着深远的影响，所以缺陷工程是调节低维材料基本物理化学性质的有效途径之一。我们发现空位缺陷是影响黑磷薄片本征P型掺杂的重要因素，同时进一步深入探究了带电缺陷的电子性质，确定了磷烯稳定的带电结构，最后提出磷烯双氧化机制，解释了暴露在空气中磷烯样品快速氧化分解的机理，解决了之前实验与理论计算相矛盾之处。
报告人简介：
詹方洋，重庆大学物理学院三年级研究生，导师：王锐副教授。其研究领域主要为二维材料的缺陷及表面反应机理。相关成果发表在近期的J. Phys. Chem. C上。
