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GaN基第三代半导体电子材料与器件

时间:2019-09-26  来源:   作者:

 

 

报告人: 教授(北京大学宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室)  

 

 间:2019年927日(星期五)下午14:30

 

 点:重庆大学虎溪校区理科楼理学部LA104

 

邀请人:方 (物理学院)、陈显平(光电学院)


报告摘要:

III族氮化物(又称GaN)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去20年, 以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展, 形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基电力电子器件和微波功率器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。本报告将首先简介半导体照明技术和产业的发展历程, 然后重点介绍GaN基电力电子器件和微波功率器件的研发和产业化进展情况, 并对该领域当前面临的关键科学和技术挑战进行分析。最后介绍近年来北京大学GaN基电子材料与器件领域取得的主要研究进展。

 

报告人介绍:

沈波,男,1963年生,江苏扬州市人,北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人,国家973计划项目首席科学家、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员,享受国务院特殊津贴。先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所研究员,东京大学先端科技研究中心、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授日本产业技术综合研究所访问教授。

     1995年迄今一直从事III氮化物(又称GaN)宽禁带半导体材料、物理和器件研究GaN量子结构MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质 GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基紫外发光材料和器件等方面取得在国内外同行中有影响的成果。先后主持国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项科研课题 发表SCI论文300多篇,论文被引用3000多次,获得/申请国家发明专利60多件多次担任国际学术会议顾问委员会或程序委员会成员,担任国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室学术委员会委员,先后获国家技术发明二等奖国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。

 

 

 

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