报告题目：A new reconstruction core of the 30°partial dislocation in silicon
报告人及单位：黄丽丽，重庆大学物理学院
报告时间：2018年10月27日（周六）10:00-11:00
报告地点：物理学院LE523
报告内容简介：运用位错晶格理论并结合第一性原理计算方法，研究了半导体硅的30°部分位错，发现除了之前被普遍接受的芯重构结构（558-core）以外，硅的 30°部分位错还有另外一种芯重构结构（477-core），研究发现这种新的芯重构结构与硅中 kink 的运动密切相关，其中完整的 kink 会分解成 partial kink，并且该研究结果对 kink 的成核和运动机制以及硅的塑形形变的理解将有很大的帮助。
报告人简介：黄丽丽，重庆大学物理学院三年级博士生，导师，王少峰教授。其研究工作集中于金刚石结构的位错研究，主要涉及半导体硅的位错研究，其成果被 Philosophical Magazine，
Journal of Applied Physics 等杂志接收。
