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报告题目:硅基高迁移率材料(III-V族、Ge)研究

作者:点击次数:更新时间:2015年11月25日

报告题目:硅基高迁移率材料(III-V族、Ge)研究

时间:2015-11-25 来源: 作者:

报 告 人:潘教青(中科院半导体所研究员)

时间:2015年11月27日(周五)下午2:30

地点:物理学院LE523

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报告人简介:潘教青:男、博士、研究员、博士生导师,山东泰安人。1997年本科毕业于山东大学物理系;2003年毕业于山东大学晶体所,获材料科学与工程博士学位。研究方向为半导体光电子器件,主研硅基III-V族材料与器件、气体传感用激光器、晶闸管激光器、InP基单片集成光子芯片。在APL等国内外知名杂志发表论文100余篇;申请发明专利30多项;获得中国材料研究学会科学技术奖一等奖、中国电子学会发明二等奖各1项;负责国家科技重大专项、“863”、“973”等国家级科研项目多项,在光通讯芯片、气体传感与检测等方面,与北京航星网讯、南华仪器、河南仕佳等多家企业合作,产学研合作成果丰硕。

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