报告人：沈 波教授(北京大学宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室)
时 间：2019年9月27日(星期五)下午14:30
地 点：重庆大学虎溪校区理科楼理学部LA104
邀请人：方 亮(物理学院)、陈显平(光电学院)
报告摘要：
III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去20年， 以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展， 形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基电力电子器件和微波功率器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。本报告将首先简介半导体照明技术和产业的发展历程， 然后重点介绍GaN基电力电子器件和微波功率器件的研发和产业化进展情况， 并对该领域当前面临的关键科学和技术挑战进行分析。最后介绍近年来北京大学在GaN基电子材料与器件领域取得的主要研究进展。
报告人介绍：
沈波，男，1963年生，江苏扬州市人，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员，享受国务院特殊津贴。先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所研究员，东京大学先端科技研究中心、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所访问教授。
1995年迄今一直从事III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基量子结构MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基紫外发光材料和器件等方面取得在国内外同行中有影响的成果。先后主持国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项科研课题， 发表SCI论文300多篇，论文被引用3000多次，获得/申请国家发明专利60多件。多次担任国际学术会议顾问委员会或程序委员会成员，担任国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室学术委员会委员，先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。
