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二维半导体体系的新奇量子相

时间:2018-04-25  来源:   作者:

 



报告人及单位:常凯研究员中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

报告时间:2018年4月17号上午10:30-11:30

报告地点:物理学院LE523

邀请人:胡自翔



报告内容简介:随着半导体先进制造技术的发展,人们现在已经可以制备高质量的半导体界面。由于界面导致对称性破缺及化学环境改变,界面处晶格、电荷、自旋和电子轨道的相互作用显著强于材料内部,从而展现出丰富的层展效应,呈现出丰富的量子相。利用应力或电荷转移产生的极性,我们可以通过人工设计,在主流半导体,如InN/GaN[1]GaAs/Ge等二维极性界面体系中实现拓扑绝缘体相。考虑电子-电子相互作用,可以在极性界面体系中实现六十年前莫特预言的激子绝缘相,我们最近在二维半导体体系InAs/GaSb中发现的拓扑激子绝缘相。我们通过建立类BCS多体理论,证实当考虑电子空穴相互作用时,在InAs/GaSb量子阱中,系统的基态将进入拓扑激子绝缘相,且该拓扑激子绝缘相可以在高达35T的平行磁场下稳定存在。

 

报告人简介:常凯,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员,国家杰出青年科学基金获得者。研究领域为半导体物理,在包括Nature子刊 (3)Phys. Rev. Lett. (11)ACS Nano (2)2D Materials (4)在内的国际学术期刊上发表论文144篇。多项工作得到国际同行的正面评价、重点引用和跟踪研究,并被写入综述文章和专著中。2004年度获得国家自然科学二等奖(夏建白、李树深、常凯、朱邦芬),2013年度中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。2005年度获得国家杰出青年基金资助,2013年入选国家百千万人才工程;并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”。多次在国际学术会议,如美国物理学会三月会议和第31届国际半导体物理大会,做邀请报告。曾任第17届窄能隙半导体物理会议主席;第18届国际程序委员会委员;二维电子气物理会议程序委员会委员;第33届国际半导体物理大会(ICPS-33)程序委员会主席。

 




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